SIHB20N50E-GE3

PASTABA: Vishay / Siliconix SIHB20N50E-GE3 galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.

Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.

package

Specifikacija

Tipas	apibūdinimas
Serija	-
Pakuotė	Bulk
Dalies būsena	Active
FET tipas	N-Channel
Technologija	MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss)	500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Pavaros įtampa (maks. Rds įjungta, min. Rd įjungta)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Vartų įkrovimas (Qg) (maks.) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds	1640 pF @ 100 V
FET funkcija	-
Galios išsklaidymas (maks.)	179W (Tc)
Darbinė temperatūra	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas	Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas	D²PAK (TO-263)
Pakuotė / dėklas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PIRKIMO GALIMYBĖS

Atsargų būsena: 718

Minimumas: 1

Kiekis	Vieneto kaina	Išor. Kaina
Kainos nėra, prašome RFQ

Krovinio apskaičiavimas

40 JAV dolerių iš „FedEx“.

Atvyksta per 3-5 dienas

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai

Populiarūs modeliai

Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.