SIRC06DP-T1-GE3

PASTABA: Vishay / Siliconix SIRC06DP-T1-GE3 galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.

Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.

package

Specifikacija

Tipas	apibūdinimas
Serija	TrenchFET® Gen IV
Pakuotė	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Dalies būsena	Active
FET tipas	N-Channel
Technologija	MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss)	30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (Id) @ 25 ° C	32A (Ta), 60A (Tc)
Pavaros įtampa (maks. Rds įjungta, min. Rd įjungta)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (maks.) @ Id	2.1V @ 250µA
Vartų įkrovimas (Qg) (maks.) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds	2455 pF @ 15 V
FET funkcija	Schottky Diode (Body)
Galios išsklaidymas (maks.)	5W (Ta), 50W (Tc)
Darbinė temperatūra	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas	Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas	PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas	PowerPAK® SO-8

PIRKIMO GALIMYBĖS

Atsargų būsena: Siuntimas tą pačią dieną

Minimumas: 1

Kiekis	Vieneto kaina	Išor. Kaina
Kainos nėra, prašome RFQ

Krovinio apskaičiavimas

40 JAV dolerių iš „FedEx“.

Atvyksta per 3-5 dienas

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai

Populiarūs modeliai

Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.