SIHU3N50D-GE3

PASTABA: Vishay / Siliconix SIHU3N50D-GE3 galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.

Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.

package

Specifikacija

Tipas	apibūdinimas
Serija	-
Pakuotė	Tube
Dalies būsena	Active
FET tipas	N-Channel
Technologija	MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss)	500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Pavaros įtampa (maks. Rds įjungta, min. Rd įjungta)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Vartų įkrovimas (Qg) (maks.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds	175 pF @ 100 V
FET funkcija	-
Galios išsklaidymas (maks.)	69W (Tc)
Darbinė temperatūra	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas	Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas	TO-251
Pakuotė / dėklas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

PIRKIMO GALIMYBĖS

Atsargų būsena: Siuntimas tą pačią dieną

Minimumas: 1

Kiekis	Vieneto kaina	Išor. Kaina
Kainos nėra, prašome RFQ

Krovinio apskaičiavimas

40 JAV dolerių iš „FedEx“.

Atvyksta per 3-5 dienas

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai

Populiarūs modeliai

Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.