Rectron USA / RM4N650IP
Vaizdas skirtas nuorodai, susisiekite su mumis, kad gautumėte tikrą vaizdą
RM4N650IP
| Gamintojo dalies numeris: | RM4N650IP |
| Gamintojas: | Rectron USA |
| Aprašo dalis: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251 |
| Lead Free Status / RoHS būsena: | Be švino / suderinama su RoHS |
| Atsargų būklė: | Sandelyje |
| Laivas iš: | Hong Kong |
| Siuntimo būdas: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- PASTABA
- Rectron USA RM4N650IP galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.
Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.
Specifikacija
| Tipas | apibūdinimas |
|---|---|
| Serija | - |
| Pakuotė | Tube |
| Dalies būsena | Active |
| FET tipas | N-Channel |
| Technologija | MOSFET (Metal Oxide) |
| Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) | 650 V |
| Srovė - nuolatinis nutekėjimas (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Pavaros įtampa (maks. Rds įjungta, min. Rd įjungta) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (maks.) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Vartų įkrovimas (Qg) (maks.) @ Vgs | - |
| Vgs (maks.) | ±30V |
| Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| FET funkcija | - |
| Galios išsklaidymas (maks.) | 46W (Tc) |
| Darbinė temperatūra | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montavimo tipas | Through Hole |
| Tiekėjo įrenginio paketas | TO-251 |
| Pakuotė / dėklas | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Atsargų būsena: Siuntimas tą pačią dieną
Minimumas: 1
| Kiekis | Vieneto kaina | Išor. Kaina |
|---|---|---|
Kainos nėra, prašome RFQ |
||
Krovinio apskaičiavimas
40 JAV dolerių iš „FedEx“.
Atvyksta per 3-5 dienas
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai
Įdėta į krepšelį!
Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.