SIHD6N62E-GE3

PASTABA: Vishay / Siliconix SIHD6N62E-GE3 galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.

Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.

package

Specifikacija

Tipas	apibūdinimas
Serija	-
Pakuotė	Tube
Dalies būsena	Active
FET tipas	N-Channel
Technologija	MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss)	-
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Pavaros įtampa (maks. Rds įjungta, min. Rd įjungta)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Vartų įkrovimas (Qg) (maks.) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds	578 pF @ 100 V
FET funkcija	-
Galios išsklaidymas (maks.)	78W (Tc)
Darbinė temperatūra	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas	Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas	D-PAK (TO-252AA)
Pakuotė / dėklas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PIRKIMO GALIMYBĖS

Atsargų būsena: 2987

Minimumas: 1

Kiekis	Vieneto kaina	Išor. Kaina
Kainos nėra, prašome RFQ

Krovinio apskaičiavimas

40 JAV dolerių iš „FedEx“.

Atvyksta per 3-5 dienas

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai

Populiarūs modeliai

Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.