GA10JT12-263

PASTABA: GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.

Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.

package

Specifikacija

Tipas	apibūdinimas
Serija	-
Pakuotė	Tube
Dalies būsena	Active
FET tipas	-
Technologija	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss)	1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Pavaros įtampa (maks. Rds įjungta, min. Rd įjungta)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Vgs (th) (maks.) @ Id	-
Vartų įkrovimas (Qg) (maks.) @ Vgs	-
Vgs (maks.)	-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds	1403 pF @ 800 V
FET funkcija	-
Galios išsklaidymas (maks.)	170W (Tc)
Darbinė temperatūra	175°C (TJ)
Montavimo tipas	Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas	-
Pakuotė / dėklas	-

PIRKIMO GALIMYBĖS

Atsargų būsena: 170

Minimumas: 1

Kiekis	Vieneto kaina	Išor. Kaina
Kainos nėra, prašome RFQ

Krovinio apskaičiavimas

40 JAV dolerių iš „FedEx“.

Atvyksta per 3-5 dienas

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai

Populiarūs modeliai

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.