GT30J121(Q)

Gamintojo dalies numeris:	GT30J121(Q)
Gamintojas:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Aprašo dalis:	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Duomenų lapai:	GT30J121(Q) Duomenų lapai
Lead Free Status / RoHS būsena:	Be švino / suderinama su RoHS
Atsargų būklė:	Sandelyje
Laivas iš:	Hong Kong
Siuntimo būdas:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PASTABA: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q) galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.

Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.

package

Specifikacija

Tipas	apibūdinimas
Serija	*
Pakuotė	Tube
Dalies būsena	Active
IGBT tipas	-
Įtampa - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)	600 V
Srovė - kolektorius (Ic) (maks.)	30 A
Srovė - kolektoriaus impulsas (Icm)	60 A
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 30A
Galia - maks	170 W
Energijos perjungimas	1mJ (on), 800µJ (off)
Įvesties tipas	Standard
Vartų mokestis	-
Td (įjungta / išjungta) @ 25 ° C	90ns/300ns
Bandymo sąlyga	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Atvirkštinis atkūrimo laikas (trr)	-
Darbinė temperatūra	-
Montavimo tipas	Through Hole
Pakuotė / dėklas	TO-3P-3, SC-65-3
Tiekėjo įrenginio paketas	TO-3P(N)

PIRKIMO GALIMYBĖS

Atsargų būsena: Siuntimas tą pačią dieną

Minimumas: 1

Kiekis	Vieneto kaina	Išor. Kaina
Kainos nėra, prašome RFQ

Krovinio apskaičiavimas

40 JAV dolerių iš „FedEx“.

Atvyksta per 3-5 dienas

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai

Populiarūs modeliai

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.