GeneSiC Semiconductor / 1N8026-GA
Vaizdas skirtas nuorodai, susisiekite su mumis, kad gautumėte tikrą vaizdą
1N8026-GA
| Gamintojo dalies numeris: | 1N8026-GA |
| Gamintojas: | GeneSiC Semiconductor |
| Aprašo dalis: | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Duomenų lapai: | 1N8026-GA Duomenų lapai |
| Lead Free Status / RoHS būsena: | Be švino / suderinama su RoHS |
| Atsargų būklė: | Sandelyje |
| Laivas iš: | Hong Kong |
| Siuntimo būdas: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- PASTABA
- GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.
Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.
Specifikacija
| Tipas | apibūdinimas |
|---|---|
| Serija | - |
| Pakuotė | Tube |
| Dalies būsena | Obsolete |
| Diodo tipas | Silicon Carbide Schottky |
| Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) | 1200 V |
| Dabartinis - vidutinis ištaisytas (Io) | 8A (DC) |
| Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei | 1.6 V @ 2.5 A |
| Greitis | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Atvirkštinis atkūrimo laikas (trr) | 0 ns |
| Srovė - atvirkštinis nuotėkis @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Talpa @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Montavimo tipas | Through Hole |
| Pakuotė / dėklas | TO-257-3 |
| Tiekėjo įrenginio paketas | TO-257 |
| Darbinė temperatūra - sandūra | -55°C ~ 250°C |
Atsargų būsena: Siuntimas tą pačią dieną
Minimumas: 1
| Kiekis | Vieneto kaina | Išor. Kaina |
|---|---|---|
Kainos nėra, prašome RFQ |
||
Krovinio apskaičiavimas
40 JAV dolerių iš „FedEx“.
Atvyksta per 3-5 dienas
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai
Populiarūs modeliai
Įdėta į krepšelį!
Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.