BSM300D12P3E005

Gamintojo dalies numeris:	BSM300D12P3E005
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Aprašo dalis:	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Duomenų lapai:	BSM300D12P3E005 Duomenų lapai
Lead Free Status / RoHS būsena:	Be švino / suderinama su RoHS
Atsargų būklė:	Sandelyje
Laivas iš:	Hong Kong
Siuntimo būdas:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PASTABA: ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005 galima rasti adresu chipnets.com. Parduodame tik naujas ir originalias dalis ir suteikiame 1 metų garantiją. Jei norite sužinoti daugiau apie gaminius ar taikyti geresnę kainą, susisiekite su mumis spustelėdami internetinį pokalbį arba atsiųskite mums pasiūlymą.

Visi Eelctronics komponentai bus labai saugiai supakuoti dėl ESD antistatinės apsaugos.

package

Specifikacija

Tipas	apibūdinimas
Serija	-
Pakuotė	Bulk
Dalies būsena	Active
FET tipas	2 N-Channel (Half Bridge)
FET funkcija	Silicon Carbide (SiC)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss)	1200V (1.2kV)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (maks.) @ Id	5.6V @ 91mA
Vartų įkrovimas (Qg) (maks.) @ Vgs	-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds	14000pF @ 10V
Galia - maks	1260W (Tc)
Darbinė temperatūra	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas	Chassis Mount
Pakuotė / dėklas	Module
Tiekėjo įrenginio paketas	Module

PIRKIMO GALIMYBĖS

Atsargų būsena: 9

Minimumas: 1

Kiekis	Vieneto kaina	Išor. Kaina
Kainos nėra, prašome RFQ

Krovinio apskaičiavimas

40 JAV dolerių iš „FedEx“.

Atvyksta per 3-5 dienas

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Nemokamas pristatymas pirmiesiems 0,5 kg užsakymams virš 150 USD, antsvoris bus apmokestintas atskirai

Populiarūs modeliai

	BSM300D12P2E001 ROHM Semiconductor
	BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor

Ši prekė įdėta į jūsų krepšelį.